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Efecto del dopado con Si sobre la estructura de defectos en sistemas heteroepitaxiales GaN/AlN/Si(111)

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Author(s): Sánchez, A. M. | Molina, S. I. | Pacheco, F. J. | García, R. | Sánchez-García, M. A. | Sánchez, F. J. | Calleja, E.

Journal: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
ISSN 0366-3175

Volume: 39;
Issue: 4;
Start page: 468;
Date: 2000;
Original page

Keywords: Gallium nitride | GaN/AlN/Si(111) | semiconductor heterostructure | TEM | HREM | Nitruro de Galio | GaN/AlN/Si(111) | Heteroestructura semiconductora | TEM | HREM

ABSTRACT
The Si doping effect on the defect structure in GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates using AlN buffer layers has been studied. Transmission electron microscopy and related techniques have been used to carry out the structural characterization. The Si doping affects both the subgrain size and misorientation in GaN epilayer mosaic structure. The Si doping also leads to an increase of the planar defect density, as well as a decrease of the threading dislocation density. The enlargement of the subgrain tilt and the planar defect density explain the reduction of the dislocation density reaching the GaN free surface.En el presente artículo se lleva a cabo el análisis del efecto que el dopado con Si tiene sobre la estructura de defectos en epicapas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de Si (111) utilizando capas amortiguadoras de AlN. La caracterización estructural se llevó a cabo mediante microscopía electrónica de transmisión convencional y de alta resolución. El dopado con Si afecta a la desorientación y tamaño de los subgranos que constituyen la estructura mosaico de la epicapa de GaN. El dopado con Si provoca un aumento en la densidad de defectos planares, así como una disminución en la densidad de dislocaciones de propagación. El incremento en el grado de desorientación de inclinación, así como en la densidad de defectos planares que se produce conforme aumenta el dopado con Si explican la disminución en la densidad de dislocaciones que alcanzan la superficie libre de GaN.

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