Academic Journals Database
Disseminating quality controlled scientific knowledge

Analyse unterschiedlicher Modellierungsvarianten des "Direct Power Injection" Verfahrens für die EMV Charakterisierung integrierter Schaltungen

ADD TO MY LIST
 
Author(s): U. Stürmer | S. Ritzmann | O. Jovic | W. Wilkening

Journal: Advances in Radio Science - Kleinheubacher Berichte
ISSN 1684-9965

Volume: 7;
Start page: 127;
Date: 2009;
VIEW PDF   PDF DOWNLOAD PDF   Download PDF Original page

ABSTRACT
Dieser Beitrag analysiert zwei Ansätze zur Modellierung eines Teststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittels Direct Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zur Analyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Sie benötigt gemessene S-Parameterdaten, mit denen die an einem realen Messobjekt anliegenden Störspannungen frequenzabhängig bestimmt werden können. Die zweite Variante ist bereits anwendbar, bevor Silizium gefertigt worden ist. Sie modelliert einen Netzwerkanalysatorkanal der aus einer Signalquelle, einem Leistungsmesser und einem Verstärker mit nachgeschaltetem Richtkoppler und Entkoppelnetzwerken besteht. Zunächst werden die oben genannten verschiedenen Varianten der DPI-Streckenmodellierung dargestellt. Sie werden miteinander und anhand von Messdaten einer einfachen Teststruktur verglichen. Die Teststruktur besteht aus einem MOS-Transistor mit Arbeitswiderstand. Der Beitrag diskutiert Vor- und Nachteile der Varianten einschließlich Modellierungsaufwand und Simulationsgeschwindigkeit.

Tango Jona
Tangokurs Rapperswil-Jona

    
RPA Switzerland

Robotic Process Automation Switzerland